AN ANALYTICAL STUDY OF ETCH AND ETCH-STOP REACTIONS FOR GAAS ON ALGAAS IN CCL2F2 PLASMA

被引：93

作者：

SEAWARD, KL ^{[1
]}

MOLL, NJ ^{[1
]}

COULMAN, DJ ^{[1
]}

STICKLE, WF ^{[1
]}

机构：

[1] PERKIN ELMER PHYS ELECTR LABS,MT VIEW,CA 94043

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.337950

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2358 / 2364

页数：7

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共 4 条

DONNELLY, VM ;

FLAMM, DL ;

TU, CW ;

IBBOTSON, DE .

[2]

Flamm D.L., 1981, PLASMA CHEM PLASMA P, V1, P317, DOI [10.1007/bf00565992, DOI 10.1007/BF00565992]

[3] SELECTIVE DRY ETCHING OF ALGAAS-GAAS HETEROJUNCTION [J].

HIKOSAKA, K ;

MIMURA, T ;

JOSHIN, K .

[4]

MOLL N, UNPUB