DESIGN AND CHARACTERIZATION OF ION-IMPLANTED TRACKS FOR 16 MBIT/CM2 STORAGE DENSITY BUBBLE MEMORY DEVICES

被引:3
作者
SATO, T
IKEDA, T
SUZUKI, R
机构
关键词
D O I
10.1109/TMAG.1986.1064290
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:168 / 174
页数:7
相关论文
共 14 条