IMPACT IONIZATION OF EXCITONS AND SHALLOW IMPURITIES IN GALLIUM-ARSENIDE SUBJECTED TO CROSSED ELECTRIC AND MAGNETIC-FIELDS

被引:0
作者
ZINOVEV, NN
IVANOV, LP
KOVALEV, DI
YAROSHETSKII, ID
机构
来源
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1985年 / 19卷 / 12期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
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页码:1339 / 1341
页数:3
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