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LOW-LOSS OPTICAL-WAVEGUIDES IN MBE-GROWN GAAS/GAALAS HETEROSTRUCTURES
被引:9
作者
:
HOUGHTON, AJN
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HOUGHTON, AJN
ANDREWS, DA
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ANDREWS, DA
DAVIES, GJ
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DAVIES, GJ
RITCHIE, S
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RITCHIE, S
机构
:
来源
:
OPTICS COMMUNICATIONS
|
1983年
/ 46卷
/ 3-4期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0030-4018(83)90269-9
中图分类号
:
O43 [光学];
学科分类号
:
070207 ;
0803 ;
摘要
:
引用
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页码:164 / 166
页数:3
相关论文
共 4 条
[1]
ALFERNESS RC, 1982, IEEE J QUANTUM ELECT, V18, P1807, DOI 10.1109/TMTT.1982.1131323
[2]
ELECTROCHEMICAL SULFUR DOPING OF GAAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
DAVIES, GJ
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DAVIES, GJ
ANDREWS, DA
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ANDREWS, DA
HECKINGBOTTOM, R
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HECKINGBOTTOM, R
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1981,
52
(12)
: 7214
-
7218
[3]
HOUGHTON AJN, 1982, SEP P EUR C OPT COMM, P226
[4]
LEONBERGER FJ, 1982, APPL PHYS LETT, V38, P313
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共 4 条
[1]
ALFERNESS RC, 1982, IEEE J QUANTUM ELECT, V18, P1807, DOI 10.1109/TMTT.1982.1131323
[2]
ELECTROCHEMICAL SULFUR DOPING OF GAAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
DAVIES, GJ
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DAVIES, GJ
ANDREWS, DA
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ANDREWS, DA
HECKINGBOTTOM, R
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HECKINGBOTTOM, R
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1981,
52
(12)
: 7214
-
7218
[3]
HOUGHTON AJN, 1982, SEP P EUR C OPT COMM, P226
[4]
LEONBERGER FJ, 1982, APPL PHYS LETT, V38, P313
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