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60 GHZ LOW-NOISE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
被引：6
作者：
DUH, KHG
CHAO, PC
SMITH, PM
LESTER, LF
LEE, BR
机构：
关键词：
HEMT - HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS - NOISE FIGURES - NOISE PERFORMED - TRANSCONDUCTANCE;
D O I：
10.1049/el:19860443
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：3
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