EQUILIBRIUM TO NONEQUILIBRIUM TRANSITION IN MOS (SURFACE OXIDE) TUNNEL-DIODE

被引：43
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作者：
TEMPLE, VAK
GREEN, MA
SHEWCHUN, J
机构：
[1] MCMASTER UNIV, ENGN PHYS DEPT, HAMILTON, ONTARIO, CANADA
[2] MCMASTER UNIV, INST MAT RES, HAMILTON, ONTARIO, CANADA
来源：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1974年 / 45卷 / 11期
关键词：
D O I：
10.1063/1.1663157
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：4934 / 4943
页数：10
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