REACTIVE SPUTTER ETCHING OF SINGLE-CRYSTAL SILICON WITH CL2 AND SICL4

被引：0

作者：

PARK, KO ^{[1
]}

ROCK, FC ^{[1
]}

机构：

[1] GTE LABS,WALTHAM,MA 02254

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1983年 / 130卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C82 / C82

页数：1

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