GOLD-EPITAXIAL SILICON HIGH-FREQUENCY DIODES

被引：23

作者：

KAHNG, D

DASARO, LA

机构：

来源：

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL | 1964年 / 43卷 / 1P1期

关键词：

D O I：

10.1002/j.1538-7305.1964.tb04064.x

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：225 / +

共 10 条

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