AMMONIUM FLUORIDE DEPOSITION DURING PLASMA-ETCHING OF SILICON-NITRIDE

被引：11

作者：

BREWER, JA ^{[1
]}

MILLER, GW ^{[1
]}

机构：

[1] NCR CORP,DIV MICROELECTR,FT COLLINS,CO 80525

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1983年 / 1卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.582714

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：932 / 934

页数：3

共 8 条

[1]

BROWN WA, 1979, SOLID STATE TECHNOL, V22, P51

[2] PLASMA ETCHING IN INTEGRATED-CIRCUIT MANUFACTURE - REVIEW [J].

POULSEN, RG .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1977, 14 (01) :266-274

[3]

ROSLER RS, 1977, SOLID STATE TECHNOL, V20, P63

STEIN, HJ ;

WEGENER, HAR .

STEIN, HJ ;

PICRAUX, ST ;

HOLLOWAY, PH .

[6]

WEAST RC, 1970, HDB CHEM PHYSICS, pB66

[7]

1970, HDB CHEM PHYSICS, pE227

[8]

LFE8275TA1 CORP APPL