SILICON-ON-INSULATOR BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：0

作者：

RODDER, M ^{[1
]}

ANTONIADIS, DA ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,CAMBRIDGE,MA 02139

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1983年 / 30卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1983.21400

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1604 / 1605

页数：2

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共 1 条

[1] MOSFETS ON SILICON PREPARED BY MOVING MELT ZONE RECRYSTALLIZATION OF ENCAPSULATED POLYCRYSTALLINE SILICON ON AN INSULATING SUBSTRATE [J].

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