NONLINEAR HIGH-FREQUENCY RESPONSE OF GAAS METAL-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：6

作者：

ABELES, JH ^{[1
]}

TU, CW ^{[1
]}

SCHWARZ, SA ^{[1
]}

BRENNAN, TM ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.96836

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1620 / 1622

页数：3

共 7 条

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