INTERDIGITATED PN JUNCTION DEVICE WITH NOVEL CAPACITANCE VOLTAGE CHARACTERISTIC, ULTRALOW CAPACITANCE AND LOW PUNCH-THROUGH VOLTAGE

被引：12
作者：
CAPASSO, F
LOGAN, RA
TSANG, WT
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1982年 / 18卷 / 18期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19820514
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：760 / 761
页数：2
相关论文
共 3 条
[1]   NEW ULTRA-LOW-NOISE AVALANCHE PHOTO-DIODE WITH SEPARATED ELECTRON AND HOLE AVALANCHE REGIONS [J].
CAPASSO, F .
ELECTRONICS LETTERS, 1982, 18 (01) :12-13
[2]  
CAPASSO F, 1982, UNPUB IEEE T ED, V29
[3]  
CAPASSO F, 1982, 40TH DEV RES C FT CO
1