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SYNCHROTRON RADIATION-ASSISTED ETCHING OF SILICON SURFACE
被引：61
作者：
HAYASAKA, N
HIRAYA, A
SHOBATAKE, K
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L1110
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L1110 / L1112
页数：3
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