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NON-STEADY-STATE GROWTH OF SIO2-FILMS ON SILICON
被引：0
作者：
REVESZ, AG
HUGHES, HL
机构：
[1] REVESZ ASSOC,BETHESDA,MD 20817
[2] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
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页码：C319 / C319
页数：1
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