SUPRALEITUNG VON GERMANIUM UND SILIZIUM UNTER HOHEM DRUCK

被引:32
作者
BUCKEL, W
WITTIG, J
机构
来源
PHYSICS LETTERS | 1965年 / 17卷 / 03期
关键词
D O I
10.1016/0031-9163(65)90473-7
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
收藏
页码:187 / &
相关论文
共 6 条
[1]  
Bommel H E, 1963, Science, V139, P1301, DOI 10.1126/science.139.3561.1301-a
[2]  
Bridgman P., 1952, PROC AM ACAD ART SCI, V81, P165, DOI [10.2307/20023677, DOI 10.2307/20023677]
[3]   SUPTALEITUNG DES GALLIUMS BEI HOHEM DRUCK [J].
BUCKEL, W ;
GEY, W .
ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1963, 176 (04) :336-&
[4]   PHASE DIAGRAMS OF SILICON AND GERMANIUM TO 200 KBAR 1000 DEGREE C [J].
BUNDY, FP .
JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 1964, 41 (12) :3809-&
[5]  
CHESTER PF, 1953, PHILOS MAG, V44, P1281
[6]  
KENNEDY GC, 1961, PROGRESS VERY HIGH P, P304