TWO-DIMENSIONAL NUMERICAL-ANALYSIS OF THE HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

被引:41
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作者
WIDIGER, D [1 ]
HESS, K [1 ]
COLEMAN, JJ [1 ]
机构
[1] UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
关键词
D O I
10.1109/EDL.1984.25913
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:266 / 269
页数:4
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