GAAS LIGHT-EMITTING-DIODES FABRICATED ON SIO2/SI WAFERS

被引：33
作者：
SHINODA, Y
NISHIOKA, T
OHMACHI, Y
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1983年 / 22卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.22.L450
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：L450 / L451
页数：2
相关论文
共 3 条
[1]  
GALE PR, 1982, APPL PHYS LETT, V41, P545
[2]   GE-SEEDED CRYSTALLIZATION ON SIO2 BY USING A SLIDER SYSTEM WITH RF HEATED STRIP HEATER [J].
OHMACHI, Y ;
NISHIOKA, T ;
SHINODA, Y .
ELECTRONICS LETTERS, 1983, 19 (08) :274-275
[3]   LOW-DISLOCATION-DENSITY GAAS EPILAYERS GROWN ON GE-COATED SI SUBSTRATES BY MEANS OF LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH [J].
TSAUR, BY ;
MCCLELLAND, RW ;
FAN, JCC ;
GALE, RP ;
SALERNO, JP ;
VOJAK, BA ;
BOZLER, CO .
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1982, 41 (04) :347-349
1