NONCONTAMINATING SI-BASED SHADOW MASKS FOR MBE

被引：11

作者：

KAMINSKY, G

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1985年 / 3卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583131

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：741 / 742

页数：2

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共 2 条

[1] FABRICATION OF NOVEL 3-DIMENSIONAL MICROSTRUCTURES BY ANISOTROPIC ETCHING OF (100) AND (110) SILICON [J].

BASSOUS, E .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1978, 25 (10) :1178-1185

[2]

FINNE RM, 1967, ELECTRO CHEM SOC, V114, P9