DEFECTS IN GAAS AND ALXGA1-XAS GROWN BY MBE

被引：0

作者：

CHANG, CY ^{[1
]}

CHENG, KY ^{[1
]}

WANG, YH ^{[1
]}

LIU, WC ^{[1
]}

LIAO, SA ^{[1
]}

机构：

[1] NATL CHENG KUNG UNIV,PROTOZOOL RES INST,TAINAN,TAIWAN

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1984年 / 131卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C315 / C315

页数：1

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