REALIZATION OF SHORT-PERIOD SI/GE STRAINED-LAYER SUPERLATTICES

被引：0

作者：

EBERL, K

WEGSCHEIDER, W

FRIESS, E

ABSTREITER, G

机构：

来源：

HETEROSTRUCTURES ON SILICON : ONE STEP FURTHER WITH SILICON | 1989年 / 160卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：153 / 160

页数：8

相关论文

empty

未找到相关数据