CHANGE OF DEEP LEVELS IN FE-DOPED, O-DOPED AND NON-DOPED LIQUID-PHASE EPITAXIAL GAAS AFTER ELECTRON-BEAM IRRADIATION AND ANNEALING

被引：0
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作者：
IKOMA, T
TAKIKAWA, M
TANIGUCHI, M
机构：
来源：
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES | 1982年 / 63期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
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页码：191 / 196
页数：6
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