GROWTH OF GASB BY MOVPE

被引：75

作者：

HAYWOOD, SK ^{[1
]}

HENRIQUES, AB ^{[1
]}

MASON, NJ ^{[1
]}

NICHOLAS, RJ ^{[1
]}

WALKER, PJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV OXFORD,CLARENDON LAB,OXFORD,ENGLAND

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1988年 / 3卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/3/4/007

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：315 / 320

页数：6

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