EFFECTS OF LEAKAGE CURRENT ON DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY

被引：45
作者：
CHEN, MC
LANG, DV
DAUTREMONTSMITH, WC
SERGENT, AM
HARBISON, JP
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1984年 / 44卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1063/1.94887
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：790 / 792
页数：3
相关论文
共 5 条
[1]   PHOTOVOLTAIC PROPERTIES OF MIS-SCHOTTKY BARRIERS [J].
CARD, HC .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1977, 20 (12) :971-976
[2]  
Chen M., UNPUB
[3]  
LANG D, UNPUB
[4]   DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY - NEW METHOD TO CHARACTERIZE TRAPS IN SEMICONDUCTORS [J].
LANG, DV .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1974, 45 (07) :3023-3032
[5]   AN INVESTIGATION OF SURFACE STATES AT A SILICON SILICON OXIDE INTERFACE EMPLOYING METAL OXIDE SILICON DIODES [J].
TERMAN, LM .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1962, 5 (SEP-O) :285-299
1