BROADENING OF IMPURITY BANDS IN HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS

被引：209
作者：
MORGAN, TN
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW | 1965年 / 139卷 / 1A期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRev.139.A343
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
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页码：A343 / &
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[1]  
BONCHBRUEVICH VL, 1962, FIZ TVERD TELA, V4, P2660
[2]  
COURANT R, 1962, METHODS MATH PHYSICS, V2, P535
[3]  
DWIGHT HB, 1947, TABLES INTEGRALS OTH, P129
[4]  
FELLER W, 1957, INTRO PROBABILITY TH, V1, pCH11
[5]  
FELLER W, 1957, INTRODUCTION PROBABL, V1, pCH7
[6]  
FELLER W, 1957, INTRODUCTION PROBABI, V1, pCH6
[7]  
GLASSTONE S, 1947, THERMODYNAMICS CHEMI, pCH17
[8]   DESCRIPTION OF IMPPURITY IONIZATION IN SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL THERMODYNAMICS [J].
HARVEY, WW .
PHYSICAL REVIEW, 1961, 123 (05) :1666-&
[9]   PAIR SPECTRA IN GAP [J].
HOPFIELD, JJ ;
GERSHENZON ;
THOMAS, DG .
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1963, 10 (05) :162-&
[10]  
Jahnke E, 1945, TABLES FUNCTIONS
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