TRAPEZOIDAL-GROOVE SCHOTTKY-GATE VERTICAL-CHANNEL GAAS-FET (GAAS STATIC INDUCTION TRANSISTOR)

被引：8

作者：

CAMPBELL, PM ^{[1
]}

GARWACKI, W ^{[1
]}

SEARS, AR ^{[1
]}

MENDITTO, P ^{[1
]}

BALIGA, BJ ^{[1
]}

机构：

[1] GE,CTR CORP RES,SCHENECTADY,NY 12345

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26133

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：304 / 306

页数：3

共 7 条

BALIGA, BJ .

BOZLER, CO ;

ALLEY, GD .

[3]

Campbell P. M., 1982, International Electron Devices Meeting. Technical Digest, P258

CAMPBELL, PM ;

AINA, O ;

BALIGA, BJ .

NISHIZAWA, JI ;

TERASAKI, T ;

SHIBATA, J .

[6]

SEARS AR, 1983, IEDM TECH DIG, P29

[7] OHMIC CONTACTS IN GAAS [J].

YODER, MN .