TRANSIENT CAPACITANCE MEASUREMENTS ON RESISTIVE SAMPLES

被引：107

作者：

BRONIATOWSKI, A

BLOSSE, A

SRIVASTAVA, PC

BOURGOIN, JC

机构：

[1] INST SUPER ELECTR N,PHYS SOLIDES LAB,F-59046 LILLE,FRANCE

[2] UNIV PARIS 07,ECOLE NORM SUPER,PHYS SOLIDES GRP,F-75251 PARIS,FRANCE

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1983年 / 54卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.332492

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：2907 / 2910

页数：4

相关论文

共 5 条

[1] TRANSIENT-CAPACITANCE MEASUREMENT OF THE GRAIN-BOUNDARY LEVELS IN SEMICONDUCTORS [J].

BRONIATOWSKI, A ;

BOURGOIN, JC .

PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1982, 48 (06) :424-427

[2]

JOHNSON NM, 1979, AIP C P, V50, P550

[3] DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY - NEW METHOD TO CHARACTERIZE TRAPS IN SEMICONDUCTORS [J].

LANG, DV .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1974, 45 (07) :3023-3032

[4]

LANG DV, COMMUNICATION

[5]

LANG DV, 1975, I PHYS C SER, V23, P581