FIRST ANODIC-OXIDE GAAS MOSFETS BASED ON EASY TECHNOLOGICAL PROCESSES

被引：55

作者：

BAYRAKTAROGLU, B ^{[1
]}

KOHN, E ^{[1
]}

HARTNAGEL, HL ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV NEWCASTLE UPON TYNE,DEPT ELECT & ELECTR ENGN,MERZ COURT,NEWCASTLE TYNE NE1 7RU,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760043

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：53 / 54

页数：2

共 4 条

HASEGAWA, H ;

FORWARD, KE ;

HARTNAGEL, HL .

[2] IMPROVED METHOD OF ANODIC-OXIDATION OF GAAS [J].

HASEGAWA, H ;

FORWARD, KE ;

HARTNAGEL, HL .

[3] GAAS INVERSION-TYPE MIS TRANSISTORS [J].

ITO, T ;

SAKAI, Y .

SEBESTYEN, T ;

HARTNAGEL, H ;

HERRON, LH .