EFFECT OF ANNEALING ON STRUCTURAL AND ELECTRONIC-PROPERTIES OF PROFILED SILICON

被引：0

作者：

ABROSIMOV, NV

BAZHENOV, AV

GONCHAROV, VA

EROFEEVA, SA

机构：

来源：

IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA | 1983年 / 47卷 / 02期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：356 / 360

页数：5

共 6 条

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