MACROSCOPIC PHYSICS OF THE SILICON INVERSION LAYER

被引：258

作者：

ANCONA, MG ^{[1
]}

TIERSTEN, HF ^{[1
]}

机构：

[1] RENSSELAER POLYTECH INST,DEPT MECH ENGN,TROY,NY 12181

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1987年 / 35卷 / 15期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.35.7959

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：7959 / 7965

页数：7

共 7 条

ANCONA, MG ;

TIERSTEN, HF .

PHYSICAL REVIEW B, 1983, 27 (12) :7018-7045

ANCONA, MG ;

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