THERMAL DONOR AND NEW DONOR GENERATION IN SOI MATERIAL FORMED BY OXYGEN IMPLANTATION

被引：13

作者：

CRISTOLOVEANU, S

PUMFREY, J

SCHEID, E

HEMMENT, PLF

ARROWSMITH, RP

机构：

[1] UNIV SURREY,DEPT ELECTR & ELECT ENGN,GUILDFORD GU2 5XH,SURREY,ENGLAND

[2] BRITISH TELECOM RES LABS,IPSWICH IP5 7RE,SUFFOLK,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850566

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：802 / 804

页数：3

共 4 条

[1]

BOURRET A, 1984, METAL A, V14

CRISTOLOVEANU, S ;

WYNCOLL, J ;

SPINELLI, P ;

HEMMENT, PLF ;

ARROWSMITH, RP .

PHYSICA B & C, 1985, 129 (1-3) :249-254

[3]

CRISTOLOVEANU S, 1985, P INFOS C TOULOUSE

HEMMENT, PLF ;

MAYDELLONDRUSZ, E ;

STEVENS, KG ;

KILNER, JA ;

BUTCHER, J .