1.6 GHZ ELECTROABSORPTION LIGHT-MODULATION IN INGAASP/INP DOUBLE HETEROSTRUCTURES WITH STRIP-LOADED PLANAR WAVE-GUIDE

被引：13

作者：

NODA, Y

SUZUKI, M

KUSHIRO, Y

AKIBA, S

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 25-2期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850835

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1182 / 1183

页数：2

相关论文

共 7 条

[1] BURIED HETEROJUNCTION ELECTROABSORPTION MODULATOR
CAMPBELL, JC
DEWINTER, JC
POLLACK, MA
NAHORY, RE
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1978, 32 (08) : 471 - 473
[2] ELECTROABSORPTION IN INGAASP-INP DOUBLE HETEROSTRUCTURES
DUTTA, NK
OLSSON, NA
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1984, 20 (15) : 634 - 635
[3] ELECTROABSORPTION IN GALNASP
KINGSTON, RH
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1979, 34 (11) : 744 - 746
[4] KINGSTON RH, 1984, IEEE J QUANTUM ELECT, V19, P1443
[5] KUSHIRO Y, 1984, 11TH P S GAAS REL CO, P157
[6] ELECTROABSORPTION IN ALYGA1-YAS-ALXGA1-XAS DOUBLE HETEROSTRUCTURES
REINHART, FK
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1973, 22 (08) : 372 - 374
[7] SILLMAN GE, 1976, APPL PHYS LETT, V28, P544