SELECTIVELY BURIED EPITAXIAL-GROWTH OF GAAS BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：13
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作者：
OKAMOTO, K
YAMAGUCHI, K
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1986年 / 48卷 / 13期
关键词：
D O I：
10.1063/1.96688
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：849 / 851
页数：3
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