ANISOTROPY IN GROWTH-RATES OF SILICON DEPOSITED BY REDUCTION OF SILICON TETRACHLORIDE

被引：25

作者：

NISHIZAWA, J ^{[1
]}

KATO, Y ^{[1
]}

SHIMBO, M ^{[1
]}

机构：

[1] TOHOKU UNIV,RES INST ELECT COMMUN,SENDAI,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(75)90143-8

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：290 / 298

页数：9

共 5 条

[1]

NISHIZAWA J, 1974, J CRYST GROWTH, V24, P215, DOI 10.1016/0022-0248(74)90306-6

[2]

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NISHIZAW.JI .