COMMENTS ON PAPER TRANSPORT PROCESSES IN THERMAL OXIDATION OF SILICON

被引：20

作者：

JORGENSEN, PJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2426746

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：820 / +

页数：1

共 9 条

COLLINS, FC ;

NAKAYAMA, T .

[2] EFFECT OF AN ELECTRIC FIELD ON SILICON OXIDATION [J].

JORGENSEN .

[3]

JORGENSEN P, TO BE PUBLISHED

[4]

JORGENSEN PJ, 1966, 7 INT C GLASS, P310

[5]

KROGER FA, 1964, CHEMISTRY IMPERFECT

[6]

KROGER FA, 1964, P BRIT CERAMIC SOC, V1, P167

[7] TRANSPORT PROCESSES IN THERMAL OXIDATION OF SILICON [J].

RALEIGH, DO .

[8]

Schmalzried H, 1963, PHYS CHEM FRANKFURT, V38, P87

[9]

WAGNER C, PRIVATE COMMUNICATIO