A COMPARISON OF CONVENTIONAL CO-60 TESTING AND LOW DOSE ACCUMULATION-RATE EXPOSURE OF METAL-GATE CMOS ICS

被引：4

作者：

ROESKE, SB

EDWARDS, WH

ZIPAY, JW

PUARIEA, JW

GAMMILL, PE

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1984年 / 31卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1984.4333556

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1582 / 1584

页数：3

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共 8 条

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