CHARACTERIZATION OF DAMAGE IN ION-IMPLANTED GE

被引：100
作者：
APPLETON, BR
HOLLAND, OW
NARAYAN, J
SCHOW, OE
WILLIAMS, JS
SHORT, KT
LAWSON, E
机构：
[1] ROYAL MELBOURNE INST TECHNOL,MELBOURNE,VIC 3000,AUSTRALIA
[2] AUSTRALIAN ATOM ENERGY COMMISS,LUCAS HTS,NSW 2232,AUSTRALIA
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1982年 / 41卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1063/1.93643
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：711 / 712
页数：2
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APPLETON BR, UNPUB
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CAMPISANO, SU ;
GRIMALDI, MG ;
BAERI, P ;
FOTI, G ;
RIMINI, E .
APPLIED PHYSICS, 1980, 22 (02) :201-203
[3]  
CHERNOW F, 1976, ION IMPLANTATION SEM
[4]  
Crowder Billy L., 1973, ION IMPLANTATION SEM
[5]  
HOLLAND OW, UNPUB
[6]  
Johansson N. G. E., 1970, Radiation Effects, V6, P257, DOI 10.1080/00337577008236304
[7]  
Mayer J. W., 1970, ION IMPLANTATION SEM
[8]  
NARAYAN J, UNPUB
[9]  
NARAYAN J, 1981, DEFECTS SEMICONDUCTO
[10]  
RIMINI E, 1979, LASER SOLID INTERACT, P259
12