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GAMMA-TOTAL DOSE EFFECTS ON ALS BIPOLAR OXIDE SIDEWALL ISOLATED DEVICES
被引:6
作者
:
BUSCHBOM, ML
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BUSCHBOM, ML
JEFFREY, EN
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JEFFREY, EN
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RHINE, LE
SPRATT, DB
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SPRATT, DB
机构
:
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
|
1983年
/ 30卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1109/TNS.1983.4333090
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:4105 / 4109
页数:5
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共 2 条
[1]
LONG DM, GOMAC 1982, P315
[2]
TOTAL DOSE EFFECTS IN RECESSED OXIDE DIGITAL BIPOLAR MICROCIRCUITS
PEASE, RL
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IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,
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[1]
LONG DM, GOMAC 1982, P315
[2]
TOTAL DOSE EFFECTS IN RECESSED OXIDE DIGITAL BIPOLAR MICROCIRCUITS
PEASE, RL
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[J].
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,
1983,
30
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