GAMMA-TOTAL DOSE EFFECTS ON ALS BIPOLAR OXIDE SIDEWALL ISOLATED DEVICES

被引：6
作者：
BUSCHBOM, ML
JEFFREY, EN
RHINE, LE
SPRATT, DB
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1983年 / 30卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1109/TNS.1983.4333090
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：4105 / 4109
页数：5
相关论文
共 2 条
[1]  
LONG DM, GOMAC 1982, P315
[2]   TOTAL DOSE EFFECTS IN RECESSED OXIDE DIGITAL BIPOLAR MICROCIRCUITS [J].
PEASE, RL ;
TURFLER, RM ;
PLATTETER, D ;
EMILY, D ;
BLICE, R .
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 1983, 30 (06) :4216-4223
1