GAMMA-TOTAL DOSE EFFECTS ON ALS BIPOLAR OXIDE SIDEWALL ISOLATED DEVICES

被引:6
作者
BUSCHBOM, ML
JEFFREY, EN
RHINE, LE
SPRATT, DB
机构
关键词
D O I
10.1109/TNS.1983.4333090
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页码:4105 / 4109
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共 2 条
  • [1] LONG DM, GOMAC 1982, P315
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    PEASE, RL
    TURFLER, RM
    PLATTETER, D
    EMILY, D
    BLICE, R
    [J]. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 1983, 30 (06) : 4216 - 4223