BURST AND LOW-FREQUENCY GENERATION-RECOMBINATION NOISE IN DOUBLE-HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：15

作者：

ZHANG, XN ^{[1
]}

VANDERZIEL, A ^{[1
]}

DUH, KH ^{[1
]}

MORKOC, H ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,CHAMPAIGN,IL 61820

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.25916

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：277 / 279

页数：3

共 6 条

[1]

GIRALT G, 1968, ELECTRON LETT, V2, P228

[2]

MCWHORTER A, 1955, MIT80 LINC LAB REP

SU, SL ;

LYONS, WG ;

TEJAYADI, O ;

FISCHER, R ;

KOPP, W ;

MORKOC, H .

VANVLIET, KM .

[5]

VANVLIET KM, 1976, IEEE T ELECTRON DEVI, V23, P1246

[6]

ZHU XC, UNPUB SOLID STATE EL