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BOMBARDMENT-ENHANCED DIFFUSION OF ARSENIC IN SILICON
被引:24
作者
:
MABY, EW
论文数:
0
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0
h-index:
0
机构:
RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540
RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540
MABY, EW
[
1
]
机构
:
[1]
RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1976年
/ 47卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.322716
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
收藏
页码:830 / 836
页数:7
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共 7 条
[1]
[Anonymous], 1963, KGL DANSKE VIDENSKAB
[2]
KINCHIN GH, 1958, REP PROG PHYS, V18, P2
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MINEAR, RL
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NELSON, DG
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NELSON, DG
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1972,
43
(08)
: 3468
-
&
[4]
MINEAR RL, 1970, SUSEL70003 STANF EL
[5]
Morse PM., 1953, METHODS THEORETICAL
[6]
NELSON DG, 1970, THESIS STANFORD U
[7]
Wu C., COMMUNICATION
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共 7 条
[1]
[Anonymous], 1963, KGL DANSKE VIDENSKAB
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NELSON, DG
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1972,
43
(08)
: 3468
-
&
[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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