MORPHOLOGY OF SIC EPITAXIAL LAYERS GROWN BY TEMPERATURE-GRADIENT ZONE-MELTING .1. DEPENDENCE OF THE CRYSTALLIZATION BOUNDARY SMOOTHNESS ON THE EPITAXIAL LAYERS GROWTH-CONDITIONS

被引：1

作者：

PEEV, NS ^{[1
]}

TAIROV, YM ^{[1
]}

SMIRNOVA, NA ^{[1
]}

KALNIN, AA ^{[1
]}

机构：

[1] LENINGRAD ELECT TECH INST,DEPT DIELECT & SEMICOND,LENINGRAD 197022,USSR

来源：

关键词：

D O I：

10.1002/crat.2170220607

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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页数：5