PLASMA DEPOSITION OF SILICON-NITRIDE AND BORON-NITRIDE FILMS FOR ENCAPSULATED ANNEALING OF IMPLANTED GAAS

被引：0

作者：

VALCO, GJ ^{[1
]}

KAPOOR, VJ ^{[1
]}

机构：

[1] CASE WESTERN RESERVE UNIV,DEPT ELECT ENGN & APPL PHYS,SOLID STATE INTEGRATED CIRCUIT LAB,CLEVELAND,OH 44106

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：C78 / C78

页数：1