ROOM-TEMPERATURE ANNEALING OF RADIATION-INDUCED DEFECTS IN INP SOLAR-CELLS

被引：31

作者：

YAMAGUCHI, M

ITOH, Y

ANDO, K

机构：

[1] NTT, Ibaraki Electrical, Communication Lab, Tokai, Jpn, NTT, Ibaraki Electrical Communication Lab, Tokai, Jpn

来源：

关键词：

DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY - DEFECT ANNEALING - ELECTRON IRRADIATION - VACANCY ANNEALING;

D O I：

10.1063/1.95099

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页数：3