A CHARACTERIZATION OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS USING POSITRON-ANNIHILATION SPECTROSCOPY

被引：0

作者：

DEWALD, AB

ROHATGI, A

SCHAFFER, JP

机构：

[1] GEORGIA INST TECHNOL,SCH MECH ENGN,ATLANTA,GA 30332

[2] GEORGIA INST TECHNOL,SCH ELECT ENGN,ATLANTA,GA 30332

[3] GEORGIA INST TECHNOL,SCH MAT ENGN,ATLANTA,GA 30332

来源：

JOURNAL OF METALS | 1987年 / 39卷 / 07期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TF [冶金工业];

学科分类号：

0806 ;

摘要：

引用

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