BARRIER-CONTROLLED LOW-THRESHOLD PNPN GAAS HETEROSTRUCTURE LASER

被引：9

作者：

LEE, CP ^{[1
]}

GOVER, A ^{[1
]}

MARGALIT, S ^{[1
]}

SAMID, I ^{[1
]}

YARIV, A ^{[1
]}

机构：

[1] CALTECH,PASADENA,CA 91109

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1977年 / 30卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.89225

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：535 / 538

页数：4

相关论文

共 5 条

[1]

DEMIDOV YP, 1970, JETP LETT-USSR, V12, P117

[2]

GOVER A, UNPUBLISHED

[3] MULTILAYER GAAS INJECTION LASER [J].

KOSONOCKY, WF ;

CORNELY, RH ;

HEGYI, IJ .

IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 1968, QE 4 (04) :176-+

[4] GAAS P-N-P-N LASER DIODE [J].

LOCKWOOD, HF ;

ETZOLD, KF ;

STOCKTON, TE ;

MARINELLI, DP .

IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 1974, QE10 (07) :567-569

[5]

SZE SM, 1974, PHYSICS SEMICONDUCTO