ION-IMPLANTATION CONTROL OF STOICHIOMETRY OF 2-6 SEMICONDUCTORS

被引：0

作者：

BOCHKOV, YV ^{[1
]}

GEORGOBIANI, AN ^{[1
]}

DEMENTEV, BP ^{[1
]}

KOTLYAREVSKII, MB ^{[1
]}

NOSKOV, DA ^{[1
]}

RAMAZANOV, PE ^{[1
]}

机构：

[1] PN LEBEDEV PHYS INST,MOSCOW,USSR

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1976年 / 10卷 / 02期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：189 / 191

页数：3