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MODELING OF TRANSFER GATES IN ION-IMPLANTED BUBBLE-DEVICES
被引:0
作者:
KEEZER, DC
ASSELIN, P
HUMPHREY, FB
机构:
关键词:
D O I:
10.1109/TMAG.1982.1062021
中图分类号:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号:
0808 ;
0809 ;
摘要:
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页码:1361 / 1363
页数:3
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