SURFACE SOFTENING IN SILICON BY ION-IMPLANTATION

被引：120

作者：

BURNETT, PJ

PAGE, TF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF00540455

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：845 / 860

页数：16

共 35 条

[1]

BUCKLE H, 1954, Z METALLKD, V45, P623

[2]

Buckle H., 1973, SCI HARDNESS TESTING, P453

[3]

BURNETT PJ, 1983, UNPUB

[4]

Carter G., 1968, ION BOMBARDMENT SOLI

[5]

Carter G., 1976, ION IMPLANTATION SEM

[6]

CRISTEL LA, 1981, J APPL PHYS, V52, P7143

[7]

Davidson S. M., 1970, Radiation Effects, V6, P33, DOI 10.1080/00337577008235043

[8]

DEARNALEY G, 1980, NUCL I METHODS, V189, P117

[9]

DEARNALEY G, 1978, T I MET FINISH, V56, P25

[10]

DEARNALEY G., 1973, ION IMPLANTATION