SILICON AND SILICON DIOXIDE THERMAL BONDING FOR SILICON-ON-INSULATOR APPLICATIONS

被引：37

作者：

BLACK, RD

ARTHUR, SD

GILMORE, RS

LEWIS, N

HALL, EL

LILLQUIST, RD

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.340976

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2773 / 2777

页数：5

共 15 条

[1]

[Anonymous], 1986, WEDDING HOME AUT, P122

[2]

ANTHONY TR, 85CRD078 INT REP

[3]

ATALAR A, 1985, IEEE T SON ULTRASON, V32, P164, DOI 10.1109/T-SU.1985.31583

[4]

FAIGON A, 1984, 1984 INT EL DEV M SA, P161

[5]

GILMORE RS, 86CRD015 INT REP

[6]

Iler R. K., 1979, CHEM SILICA

[7]

JASTRZEBSKI L, 1984, RCA REV, V44, P250

[8] ACOUSTIC MICROSCOPY OF INTERIOR PLANES [J].

JIPSON, VB .

[9]

KERN W, 1970, RCA REV, V31, P187

[10] WAFER BONDING FOR SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGIES [J].

LASKY, JB .