未找到相关数据
POINT-DEFECTS AND DIFFUSION-PROCESSES IN SILICON
被引：0
作者：
TAN, TY
GOSELE, U
机构：
[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598
[2] MAX PLANCK INST MET RES,D-7000 STUTTGART 80,FED REP GER
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
收藏
页码：C83 / C83
页数：1
相关论文