AN EFFICIENT APPROACH FOR LARGE-SIGNAL MODELING AND ANALYSIS OF THE GAAS-MESFET

被引:4
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作者
HWANG, VD [1 ]
ITOH, T [1 ]
机构
[1] UNIV TEXAS,ELECT ENGN RES LAB,AUSTIN,TX 78712
关键词
CONVERGENCE SPEED - LARGE-SIGNAL MODELING - METAL-SEMICONDUCTOR FET (MESFET) - MODIFIED MULTIPLE-REFLECTION METHOD;
D O I
10.1109/TMTT.1987.1133661
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页数:7
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